بهبود محدوده کلیدزنی نرم (ZVS) در شارژر بدون‌‌سیم، با قابلیت استفاده در سامانه‌های زیر سطحی

نوع مقاله : مقاله پژوهشی

نویسندگان

1 برق، فنی، دانشگاه افسری امام حسین، تهران، ایران

2 برق / دانشکده برق / دانشگاه امام حسین / تهران / ایران

3 برق / دانشکده برق / دانشگاه امام حسین (ع) / تهران / ایران

4 برق، فنی، دانشگاه صنعتی انوشیروانی ، بابل، مازندران، ایران

چکیده

در این مقاله تغییرات فرکانس تشدید در مدارهای شارژر بدون‌سیم نیمه دینامیک بررسی، و روشی برای بهبود محدوده کلیدزنی نرم (ZVS) ارائه شده‌است. ساختار مورد استفاده در این مقاله مبدل تمام‌پل می‌باشد. با توجه به تغییرات فاصله بین سیم‌پیچ‌های انتقال توان، میزان اندوکتانس متقابل سیم‌پیچ‌های فرستنده و گیرنده و در نتیجه فرکانس تشدید مبدل تغییر می‌کند. ساختار مبدل-های با کلیدزنی سخت عموماً دارای تلفات بالا، راندمان پایین و فرکانس محدود هستند و وجود هم‌پوشانی بین پارامترهای ولتاژی و جریانی المان‌های غیرخطی در این مبدل‌ها، باعث آسیب‌پذیرتر شدن این مبدل‌ها در سطوح بالای توان می‌گردد. به منظور عمل‌کرد مناسب‌تر، الگوهای متفاوتی از عمل‌کرد کلیدها و المان‌های غیرخطی در ساختار‌های متفاوت در این زمینه ارائه شده‌است. در این ساختار‌ها، با افزودن تعدادی المان اضافی به مدار، هم‌پوشانی جریان و ولتاژ کلیدها در لحظات روشن و خاموش شدن تقریباً از بین رفته و تلفات کلیدزنی کاهش می‌یابد. در این مقاله، ساختار جبران‌سازی LCC استفاده شده‌است. در این ساختار با تطبیق مناسب سلف و خازن اولیه‌ ساختار جبران‌ساز، فرکانس تشدید از فرکانس کلیدزنی کوچک‌تر شده و شرایط کلیدزنی نرم در مبدل برقرار می-شود. استفاده از این شارژر به دلیل بازدهی بالا و تلفات ناچیز، در زیردریایی‌ها پیشنهاد می‌شود. مدار پیش‌نهادی در نرم‌افزار MATLAB شبیه‌سازی و تغییرات فرکانس تشدید در ضرایب کوپلینیگ مختلف بررسی و نتایج ارائه شده‌است.

کلیدواژه‌ها

موضوعات